Что такое эмиссия в физике
Перейти к содержимому

Что такое эмиссия в физике

  • автор:

4. Эмиссионные явления

Электронной эмиссией называют процесс, при котором электроны металла, преодолев энергию связи с металлом, вылетают из него. Это может происходить по разным причинам: при бомбардировке металла ионами или электронами, в случае, если металл достаточно нагрет, или же при воздействии на поверхность металла электромагнитным излучением.
Минимальная энергия, которой должен обладать электрон, чтобы произошла эмиссия, называется работой выхода . Работа выхода — это табличная величина, для каждого металла она своя. Обычно она измеряется в электрон-вольтах (\(1\;\)эВ\(\;=1,6\cdot 10^\;\)Дж).

Электронные лампы

На явлении электронной эмиссии, вызванной высокой температурой катода ( термоэлектронной эмиссии ), основан принцип действия электронных ламп.
В вакуумном сосуде находится катод, который может быть нагрет при помощи вольфрамовой нити, и анод. При нагревании катода происходит эмиссия электронов, которые создают электронное облако, поскольку катод после вылета электронов имеет положительный некомпенсированный заряд. Если к электродам приложить напряжение, то появится анодный ток (движение вылетевших электронов в сторону анода). Такое устройство называется диодом (рис. \(1\)). Вольт-амперная характеристика диода представлена на рис. \(3\).

Frame 433.png

Рис. \(1\). Устройство электронного диода

Frame 434.png

Рис. \(2\). Устройство электронного триода

Триод устроен в точности так же, как и диод, но с одним дополнительным элементом — сеткой (третьим электродом, находящимся между катодом и анодом) (рис. \(2\)).

Frame 435.png

Рис. \(3\). Вольт-амперная характеристика электронного диода

Frame 436.png

Рис. \(4\). Вольт-амперная характеристика электронного триода

Прикладывая к сетке разные потенциалы и, таким образом, меняя электрическое поле, можно изменять анодный ток. Следовательно, от потенциала сетки зависит и вольт-амперная характеристика триода (рис. \(4\)). Если потенциал сетки подобран так, что анодный ток прекратился, то такой потенциал называется потенциалом запирания лампы.

Лучевая трубка

Ещё один вызывающий интерес прибор, основанный на эффекте электронной эмиссии, — это электронно-лучевая трубка (рис. \(5\)).

Frame 437.png

Рис. \(5\). Схема электронно-лучевой трубки

Электронный пучок, испускаемый катодом, проходит через пластины отклонения, создающие электрическое поле, а затем отклонённый электрический луч попадает на слой люминофора (вещества, которое излучает свет при попадании на него электронов).
Электронно-лучевые трубки ранее использовались для создания мониторов компьютеров и телевизоров.

Электронная эмиссия

Природные объекты, эпохи, процессы, события

Электро́нная эми́ссия, испускание электронов поверхностью твёрдых тел или жидкостей . Электронная эмиссия возникает в тех случаях, когда в результате внешнего воздействия часть электронов тела приобретает энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера на его границе. Электронная эмиссия наблюдается при нагревании тел ( термоэлектронная эмиссия ), при бомбардировке электронами ( вторичная электронная эмиссия ), ионами ( ионно-электронная эмиссия ) или электромагнитным излучением ( фотоэлектронная эмиссия ). Для исследования электронной эмиссии необходимо создать вблизи поверхности тела (эмиттера) электрическое поле напряжённостью E E , которое будет ускорять и удалять электроны от поверхности эмиттера. Достаточно сильное поле ( E > 1 0 6 > 10^ E > 1 0 6 В/м) уменьшает высоту потенциального барьера на границе, в результате чего электронная эмиссия возрастает ( эффект Шоттки ). В полях E ≈ 1 0 9 ≈ 10^ E ≈ 1 0 9 В/м потенциальный барьер становится настолько тонким, что возникает туннельное просачивание электронов сквозь него (туннельная эмиссия, или автоэлектронная эмиссия ). В результате одновременного воздействия двух или более факторов могут возникать термоавтоэлектронная, фотоавтоэлектронная эмиссии и др. В очень сильных импульсных электрических полях ( E ≈ 5 ⋅ 1 0 9 ≈ 5·10^ E ≈ 5 ⋅ 1 0 9 В/м) автоэлектронная эмиссия приводит к быстрому разрушению (взрыву) микроостриёв на поверхности эмиттера и к образованию плотной плазмы . Взаимодействие плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение тока электронной эмиссии ( взрывная электронная эмиссия ).

Редакция физических наук

Опубликовано 24 мая 2023 г. в 20:12 (GMT+3). Последнее обновление 24 мая 2023 г. в 20:12 (GMT+3). Связаться с редакцией

Информация

Природные объекты, эпохи, процессы, события

Области знаний: Эмиссионные свойства конденсированных сред

  • Научно-образовательный портал «Большая российская энциклопедия»
    Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС77-84198,
    выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор) 15 ноября 2022 года.
    ISSN: 2949-2076
  • Учредитель: Автономная некоммерческая организация «Национальный научно-образовательный центр «Большая российская энциклопедия»
    Главный редактор: Кравец С. Л.
    Телефон редакции: +7 (495) 917 90 00
    Эл. почта редакции: secretar@greatbook.ru
  • © АНО БРЭ, 2022 — 2023. Все права защищены.
  • Условия использования информации. Вся информация, размещенная на данном портале, предназначена только для использования в личных целях и не подлежит дальнейшему воспроизведению.
    Медиаконтент (иллюстрации, фотографии, видео, аудиоматериалы, карты, скан образы) может быть использован только с разрешения правообладателей.
  • Условия использования информации. Вся информация, размещенная на данном портале, предназначена только для использования в личных целях и не подлежит дальнейшему воспроизведению.
    Медиаконтент (иллюстрации, фотографии, видео, аудиоматериалы, карты, скан образы) может быть использован только с разрешения правообладателей.

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ – испускание электронов поверхностью твердого тела или жидкости. Чтобы электрон покинул конденсированную среду в вакууме или газе, должна быть затрачена энергия, которую называют работой выхода. Зависимость потенциальной энергии электрона от координаты на границе эмиттера и вакуума (или иной среды) называют потенциальным барьером. Его и должен преодолеть электрон, выходя из эмиттера.

Также по теме:
ЭДИСОН, ТОМАС АЛВА

Поддерживать эмиссию можно при выполнении двух условий. Первое – подвод к электронам энергии, обеспечивающей преодоление потенциального барьера, либо создание такого сильного внешнего поля, что потенциальный барьер делается тонким и становится существенен туннельный эффект (автоэлектронная эмиссия), квантовое проникновение электронов сквозь потенциальный барьер, т.е. эмиссия электронов, имеющих энергию меньше работы выхода. Передача энергии бомбардирующими тело фотонами приводит к фотоэмиссии, бомбардировка электронами вызывает вторичную электронную эмиссию, ионами – ион-электронную эмиссию. Эмиссия может быть вызвана внутренними полями – эмиссия горячих электронов. Все эти механизмы могут действовать и одновременно (например – термоавтоэмиссия, фотоавтоэмиссия).

Второе условие – создание внешнего электрического поля, обеспечивающего увод от тела испускаемых электронов, для этого, в частности, нужно к эмиттеру подвести электроны, чтобы он не заряжался. Если внешнее поле, обеспечивающее увод эмитированных электронов, недостаточно для автоэлектронной эмиссии, но достаточно для понижения потенциального барьера, становится заметен эффект Шоттки – зависимость эмиссии от внешнего поля. В случае, когда эмитирующая поверхность неоднородна и на ней есть «пятна» с различной работой выхода, над ее поверхностью возникает электрическое «поле пятен». Это поле тормозит электроны, вылетающие из участков катода с меньшей, чем у соседних, работой выхода. Внешнее электрическое поле складывается с полем пятен и, возрастая, устраняет тормозящее действие пятен. Вследствие этого эмиссионный ток из неоднородного эмиттера растет при увеличении поля быстрее, чем в случае однородного эмиттера (аномальный эффект Шоттки).

Также по теме:
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

Термоэлектронная эмиссия. В середине 19 в. было известно, что вблизи нагретых твердых тел воздух становится проводником электричества, однако причина этого явления оставалась неясной. В результате проведенных опытов Ю.Эльстер и Г.Гейтель установили, что при пониженном давлении окружающего воздуха раскаленная добела поверхность металла приобретает положительный заряд. Протекание тока в вакууме между накаленным электродом и положительно заряженным электродом было открыто Т.Эдисоном (1884), объяснено испусканием электронов (отрицательно заряженных частиц) Дж.Томсоном (1887), теорию термоэлектронной эмиссии разработал О.Ричардсон (1902, иногда ему приписывается открытие и самого эффекта). Односторонняя проводимость была обнаружена Дж.Флемингом (1904, иногда это приписывается Эдисону), хотя его диод был не вполне вакуумным, а с частичной компенсацией пространственного заряда. Ток термоэлектронной эмиссии определяется температурой катода, (т.е. энергией электронов) и работой выхода. Максимальный ток эмиссии определяется отношением работы выхода к температуре, он называется током насыщения. Температура катода ограничивается, в свою очередь, испарением материала катода (т.е. сроком службы).

Фотоэлектронная эмиссия – испускание электронов твердыми телами и жидкостями под действием электромагнитного излучения (фотонов), при этом количество испускаемых электронов пропорционально интенсивности излучения. Для каждого вещества существует порог – минимальная частота (максимальная длина волны) излучения, ниже которой эмиссия не возникает, максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов линейно возрастает с частотой излучения и не зависит от его интенсивности. Фотоэмиссия чувствительна к работе выхода поверхности. Увеличения квантового выхода и сдвига порога фотоэмиссии достигают покрытием поверхности металла моноатомным слоем электроположительных атомов Cs (цезия) или Rb (рубидия), снижающих работу выхода для большинства металлов до 1,4–1,7 эв. Фотоэмиссия была открыта Густавом Герцем (1887), обнаружившим, что освещение ультрафиолетовым светом электродов искрового промежутка, находящегося под напряжением, облегчает пробой. Систематические исследования провели В.Гальвакс, А.Риги, А.Г.Столетов (1885) и показали, что в опыте Герца дело сводится к освобождению зарядов под действием света. То, что это именно электроны, lоказали Ф.Ленард и Дж.Томсон (1898).

Также по теме:

Фотоэмиссия из полупроводников и диэлектриков определяется сильным поглощением электромагнитного излучения.

Автоэлектронная эмиссия (полевая эмиссия, электростатическая эмиссия, туннельная эмиссия) – испускание электронов проводящими твердыми и жидкими телами под действием внешнего электрического поля высокой напряженности, ее открыл Р.Вуд (1897) при исследовании вакуумного разряда. Автоэлектронная эмиссия объясняется туннельным эффектом и происходит без затрат энергии на возбуждение электронов, необходимых для электронной эмиссии иных видов. При автоэлектронной эмиссии электроны преодолевают потенциальный барьер, не проходя над ним за счет кинетической энергии теплового движения (как при термоэлектронной эмиссии), а путем туннельного просачивания сквозь барьер, сниженный и суженный электрическим полем.

Автоэмиссия существенно зависит от поля и работы выхода и слабо зависит от температуры. Отбор тока при низких температуpax приводит к нагреванию эмиттера, т.к. уходящие электроны уносят энергию, в среднем меньшую, чем энергия Ферми, с возрастанием температуры нагрев сменяется охлаждением – эффект меняет знак, проходя через «температуру инверсии», соответствующую симметричному относительно уровня Ферми распределению вышедших электронов по полным энергиям. Особенности автоэлектронной эмиссии из полупроводников связаны с проникновением электрического поля в эмиттер, меньшей концентрацией электронов и наличием поверхностных состояний. Максимальные плотности тока, которые могут быть получены в режиме автоэмиссии, ограничены джоулевым разогревом эмиттера протекающим через него током и разрушением эмиттера электрическим полем. В режиме автоэмиссии получают токи порядка 10 7 А/см 2 (на поверхности эмиттера) в стационарном и 10 9 А/см 2 в импульсном режимах. При попытке в стационарном режиме получить больший ток эмиттер разрушается. В импульсном режиме при попытке увеличить ток эмиттер начинает работать в ином режиме, так называемом «режиме взрывной эмиссии».

Сильная зависимость автоэмиссии от работы выхода влечет за собой нестабильность работы автокатода. Работа выхода поверхности зависит как от процессов, происходящих на поверхности в высоком вакууме, так и от влияния недостаточно высокого вакуума: диффузии, миграции, перестройки поверхности, сорбции остаточных газов. Чаще всего применяемый материал – вольфрам – хорошо сорбирует газы. Это вызвало многочисленные попытки применения металлов, не так хорошо сорбирующих газы, например, рения или еще более пассивного углерода, имеющего, однако, большое сопротивление. Предлагалось покрывать металл пленкой углерода. Уменьшать сорбцию газа на поверхности можно постоянным небольшим нагревом автоэмиттера или периодическим сильным импульсным нагревом для очистки поверхности. В целом, для стабильной работы современных автокатодов требуется вакуум, на один-три порядка более высокий, чем тот, который нужен для термокатодов.

Второй после работы выхода параметр, от которого сильно зависит автоэмиссия – напряженность электрического поля на эмиттере, которая, в свою очередь, зависит от среднего поля в приборе (отношение внешнего напряжения к величине зазора) и геометрии эмиттера, ибо для увеличения поля на эмиттере применяются, как правило, «острые» формы – выступы, нити, острия, лезвия, торцы трубок или их системы – пучки нитей, пакеты лезвий, углеродные нанотрубки и т.п. Для отбора относительно больших токов используют многоострийные системы, многоэмиттерные системы на краях пленок и фольг и т.п. То, что в качестве эмиттеров используются острия, имеет следствием непараллельность траекторий электронов, причем компонента скорости, лежащая параллельно плоскости эмитирующего электрода, может быть сравнима с продольной компонентой. Пучок получается расширяющимся, веерным, а если катод многоострийный или многолезвийный, то не ламинарным.

Вторичная электронная эмиссия (открытая Л.Остин и Г.Штарке, 1902) – испускание электронов поверхностью твердого тела при ее бомбардировке электронами. Электроны, бомбардирующие тело (называемые первичными), частично отражаются телом без потери энергии (упруго отраженные электроны), остальные – с потерями энергии (неупругое отражение). Если энергия и импульс получивших энергию электронов оказываются достаточными для преодоления потенциального барьера на поверхности тела, то электроны покидают поверхность тела (вторичные электроны). В тонких пленках вторичная электронная эмиссия наблюдается не только с той поверхности, которая подвергается бомбардировке (эмиссия на отражение), но и с противоположной поверхности (эмиссия на прострел). Количественно вторичная электронная эмиссия характеризуется «коэффициентом вторичной эмиссии» (КВЭ) – отношением тока вторичных электронов к току первичных, коэффициентом упругого и неупругого отражения электронов, а также коэффициентом эмиссии вторичных электронов (отношения токов соответствующих электронов к току первичных). Все коэффициенты зависят как от энергии первичных электронов, так и от угла их падения, химического состава и рельефа поверхности образца. В металлах, где плотность электронов проводимости велика, вероятность того, что образовавшиеся вторичные электроны могут выйти наружу, мала. В диэлектриках с малой концентрацией электронов вероятность выхода вторичных электронов больше. Вероятность выхода электронов зависит от высоты потенциального барьера на поверхности.

Создание в диэлектрике сильного электрического поля (10 5 –10 6 в/см) приводит к увеличению КВЭ до 50–100 (вторичная эмиссия, усиленная полем). В этой ситуации КВЭ начинает зависеть от пористости слоя – наличие пор увеличивает эффективную поверхность эмиттера, а поле вытягивает из них вторичные электроны, которые, ударяясь о стенки пор, могут вызвать, в свою очередь, эмиссию с КВЭ > 1 и возникновение электронных лавин. Это может приводить к самоподдерживающейся холодной эмиссии, продолжающейся (при подводе заряда к эмиттеру) и после прекращения бомбардировки электронами.

Основными областями применения вторично-электронных катодов являются вторично-электронные (ВЭУ) и фотоэлектронные (ФЭУ) умножители, ЭВП М-типа (в которых электроны двигаются во взаимно-перпендикулярных электрическом и магнитном полях) и приемно-усилительные лампы со вторичной эмиссией. Для всех применений наиболее существенными вторично-эмиссионными параметрами являются: коэффициент вторичной эмиссии КВЭ в области малых энергий первичных электронов, обычно характеризуемый энергией, при которой КВЭ = 1, максимальной величиной КВЭ и энергией первичных электронов, когда КВЭ достигает максимума.

Ион-электронная эмиссия – испускание электронов под действием ионов. Известны два механизма ион-электронной эмиссии: потенциальный – вырывание электронов из тела полем подлетающего иона и кинетический – выбивание электронов из тела за счет кинетической энергии иона. Коэффициент потенциальной эмиссии увеличивается с увеличением энергии ионизации иона и уменьшением работы выхода мишени, и для пар Ne+/W (неон/вольфрам), He+/W (гелий/вольфрам), Ar+/W (аргон/вольфрам) составляет, например, 0,24, 0,24 и 0,1 соответственно, и слабо зависит от энергии ионов. Для Мо (молибденовой) мишени и тех же ионов эти коэффициенты примерно на 10% больше.

При бомбардировке многозарядными ионами ион-электронная эмиссия возрастает – для 2-х, 3-х, 4-х зарядных ионов она больше, чем для однозарядных, примерно в 4, 10, 20 раз соответственно. Потенциальная ион-электронная эмиссия сильно зависит от состояния поверхности, поскольку она определяется работой выхода. Это влечет относительно большой разброс экспериментальных данных.

Кинетической ионно-электронной эмиссии практически нет при энергиях менее 1 кэВ, потом возрастает линейно, потом медленнее, проходит через максимум и убывает, к энергиям в единицы МэВ коэффициент падает примерно до единицы. Ион-электронная эмиссия играет существенную роль в работе ряда электронных газоразрядных приборов, в которых источником электронов является катод, бомбардируемый ионами. В некоторых случаях процесс ионно-электронной эмиссии создает основное количество электронов в объеме прибора.

Эмиссия горячих электронов – это эмиссия за счет «нагрева» электронов, т.е. передачи электронам энергии или воздействии электрическим полем. Если термоэлектронная эмиссия определяется величиной потенциального барьера на выходе из твердого тела и энергией преодолевающих его электронов и для ее получения твердое тело нагревают (простейший способ нагреть электроны), то можно попытаться нагреть электроны и не прибегая к нагреву тела. Поскольку электроны – заряженные частицы, то наиболее простой способ их «нагрева» – воздействие на них электрическим полем. Создание катода с эмиссией горячих электронов – это, прежде всего, создание в проводнике или полупроводнике большого электрического поля. Для этого проводник и полупроводник надо «испортить», уменьшив их проводимость, т.к. иначе через них в этом большом поле пойдет большой ток и катод выйдет из строя.

Один из способов «испортить» металл – это разделить его на отдельные частички. Если зазоры между ними будут невелики, порядка 10 ммк, электроны будут туннелировать (преодолевать потенциальный барьер, сниженный и суженный большим полем) из одной частички в другую, и так будет осуществляться проводимость. Но ток по сравнению с током через монолитный металл сильно уменьшится, т.е. возрастет сопротивление. Это дает возможность увеличить поле. Тогда энергия электронов увеличится настолько, что они окажутся способными эмиттироваться в вакуум. Катоды с эмиссией горячих электронов выполняются в виде диэлектрической подложки, на которую напылена тонкая пленка металла или полупроводника. При малых толщинах пленки обычно получаются «островковые», т.е. состоящие из отдельных маленьких частичек, разделенных зазорами. Для облегчения выхода электронов катод часто покрывают тонкими (примерно моноатомными) пленками веществ, понижающих работу выхода Cs (цезия), BaO. В качестве вещества основной пленки обычно используют Au (золото), SnO2, BaO. Лучшие полученные параметры таковы – токоотбор 1 А/см 2 в течение длительного времени и 10 А/см 2 – кратковременно. При этом эффективность (отношение тока эмиссии к току, протекающему через пленку) может приближаться к 100%.

Что такое эмиссия в физике

Автоэлектронная эмиссия (полевая эмиссия, электростатическая эмиссия, туннельная эмиссия) — испускание электронов проводящими твердыми и жидкими телами под действием внешнего электрического поля E достаточно высокой напряженности ( В/см). Автоэлектронная эмиссия обнаружена в 1897 Р. У. Вудом . В 1929 Р. Э. Милликен и Ч. К. Лоритсен установили линейную зависимость логарифма плотности тока j автоэлектронной эмиссии от 1/Е вида (А и В — константы). В 1928-29 Р. Фаулер и Л. Нордхейм дали теоретическое объяснение автоэлектронной эмиссии на основе туннельного эффекта . Термин автоэлектронная эмиссия отражает отсутствие энергетических затрат на возбуждение электронов , свойственных другим видам электронной эмиссии (в зарубежной литературе чаще употребляется термин «полевая эмиссия»).

При автоэлектронной эмиссии электроны преодолевают потенциальный барьер на границе эмиттера , не проходя над ним за счет кинетической энергии теплового движения , как при термоэлектронной эмиссии, а путем туннельного просачивания сквозь барьер, сниженный и суженный электрическим полем. Электронная волна (см. Волны де Бройля ), встречая на пути потенциальный барьер, частично отражается и частично проходит сквозь него (рис. 1). По мере увеличения внешнего ускоряющего поля понижается высота потенциального барьера над уровнем Ферми Одновременно уменьшается ширина барьера. В результате увеличивается число электронов, просачивающихся в единицу времени сквозь барьер, соответственно увеличивается т. н. прозрачность барьера D (отношение числа электронов, прошедших сквозь барьер, к полному числу электронов, падающих на барьер) и соответствующая плотность тока автоэлектронной эмиссии.

Теоретический расчет плотности тока j автоэлектронной эмиссии приводит к формуле

где e — заряд электрона ; n — концентрация электронов проводимости в проводнике с энергией , связанной с компонентой импульса , нормальной к поверхности; Е — напряженность электрического поля у поверхности эмиттера. Из (1) следует зависимость j от концентрации электронов в проводнике и их энергетического распределения n(), а также от высоты и формы барьера, которые определяют его прозрачность D.

Автоэлектронная эмиссия из металлов в вакуум изучена наиболее полно. В этом случае j следует т. н. закону Фаулера — Нордхейма:

Здесь m — масса электрона , — потенциал работы выхода металла, t и — табулированные функции аргумента . Подставив значения констант и положив , а , получим из (2) приближенную формулу

(j, Е и в А/см 2 , В/см и эВ , см. табл.).

Формула (2) получена в следующих предположениях: свободные электроны в металле подчиняются статистике Ферми-Дирака ; вне металла на электрон действуют только силы зеркального изображения . Прозрачность барьера рассчитывалась в квазиклассическом приближении.

Значения lg j для некоторых Е и , рассчитанные по формуле (2)

= 2,0 = 4,5 = 6,3
1,0 2,98 2,0 -3,33 2,0 -12,90
1,2 4,45 3,0 1,57 4,0 -0,88
1,4 5,49 4,0 4,06 6,0 3,25
1,6 6,27 5,0 5,59 8,0 5,34
1,8 6,89 6,0 6,62 10,0 6,66
2,0 7,40 7,0 7,36 12,0 7,52
2,2 7,82 8,0 7,94 14,0 8,16
2,4 8,16 9,0 8,39 16,0 8,65
2,6 8,45 10,0 8,76 18,0 9,04
12,0 9,32 20,0 9,36

Несмотря на упрощения, формула Фаулера-Нордхейма хорошо согласуется с экспериментом. Характерными свойствами автоэлектронной эмиссии из металлов являются высокие предельные плотности тока j (вплоть до 10 10 А/см 2 ) и экспоненциальная зависимость j от и Е. При j = 10 6 -10 7 А/см 2 наблюдается некоторое уменьшение j по сравнению с (2). Это связано с влиянием объемного заряда или с деталями формы потенциального барьера. Рост тока j с повышением напряжения V заканчивается при j = 10 8 -10 10 А/см 2 вакуумным пробоем и гибелью эмиттера. Этому предшествует более интенсивная, но кратковременная взрывная электронная эмиссия.

Автоэлектронная эмиссия слабо зависит от температуры Т. Малые отклонения j от (2) с ростом Т прямо пропорциональны T 2 :

Формула (4) верна с точностью 1% Для приращений тока 18%. Для отношения j(Т)/j(0)10 справедлива т. н. формула Мерфи и Гуда

Для больших изменений j(Т) существуют более громоздкие формулы и графики, полученные численными расчетами. При повышении Т и снижении Е автоэлектронная эмиссия (термоавтоэлектронная эмиссия) переходит в термоэлектронную эмиссию , усиленную полем ( эффект Шоттки ).

Энергетический спектр автоэлектронов из металла узок (рис. 2). Полуширина распределения по полным энергиям при Т=0 К определяется формулой

При =4,4 эВ и lg j от 0 до 7 варьируется от 0,08 до 0,2 эВ. Величина с повышением Т возрастает, в частности при 300 К (в том же диапазоне j) изменяется от 0,17 до 0,3 эВ. Форма спектра отклоняется от теоретической (в модели свободных электронов) при сложной конфигурации ферми-поверхности или при наличии адсор

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *